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5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 は、ABB の 5SHY シリーズに属する統合ゲート整流サイリスタ (IGCT) 製品です。

IGCT は 1990 年代後半に登場した新しいタイプの電子機器です。

IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）とGTO（ゲートターンオフサイリスタ）の利点を兼ね備えており、スイッチング速度が速く、容量が大きく、必要な駆動電力が大きいという特徴があります。

具体的には、5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 の容量は GTO と同等ですが、スイッチング速度は GTO の 10 倍速く、より短時間でスイッチング動作を完了できるため、電力変換効率が向上します。

さらに、GTO と比較すると、IGCT は巨大で複雑なスナバ回路を節約できるため、システム設計の簡素化とコストの削減に役立ちます。

ただし、IGCT には多くの利点があるものの、必要な駆動電力は依然として大きいことに注意する必要があります。

これにより、エネルギー消費量が増加し、システムの複雑さが増す可能性があります。さらに、IGCTは高出力アプリケーションにおいてGTOの代替を目指していますが、他の新しいデバイス（IGBTなど）との激しい競争に直面しています。

5SHY4045L00013BHB018162R0001 統合ゲート整流トランジスタ|GCT (統合ゲート整流トランジスタ) は、1996 年に登場した巨大なパワー エレクトロニクス機器で使用される新しいパワー半導体デバイスです。

IGCT は、GTO 構造に基づく新しい高出力半導体スイッチ デバイスであり、ゲート ハード ドライブ用の統合ゲート構造を採用し、バッファ中間層構造とアノード透明エミッタ技術を使用し、サイリスタのオン状態特性とトランジスタのスイッチング特性を備えています。

5SHY4045L000) 3BHBO18162R0001 はバッファ構造と浅いエミッタ技術を採用しており、動的損失を約 50% 削減します。

さらに、このタイプの装置は、優れた動的特性を持つフリーホイールダイオードをチップ上に統合し、サイリスタの低いオン状態電圧降下、高いブロッキング電圧、安定したスイッチング特性の有機的な組み合わせを独自の方法で実現しています。